本发明公开了一种特定非晶型超低调制电场和极高介电可调钡铁氧体薄膜及其制备方法，所述薄膜由分布均匀的细粒状钡铁氧体非晶颗粒组成，其组成为BaxZryFe12O19，其中x＝2～3，y＝1～4。所述非晶薄膜，是在单晶硅基板上经溶胶凝胶工艺旋涂法，在相对略低于钡铁氧体晶相结晶温度以下制备获得；这种得到的特定非晶型钡铁氧体薄膜，具有极低调制电场和超高介电可调性，介电调谐率高达70～80％，调制电压30～60V/cm，优值10～7。本发明采用的溶胶凝胶结合旋转涂覆制备方法，过程简单、可控性强、制备周期短、成本低廉，制得的特定非晶态钡铁氧体薄膜材料可以在超低调制电场下表现出极高介电调谐率。这种钡铁氧体薄膜在介电可调器件以及集成电路领域有广泛的应用。