本发明公开了一种具有六角板状晶相结构且高介高磁共存的Ba间隙掺杂钡铁氧体取向生长薄膜及其制备方法。所述薄膜为单相材料，是通过单晶硅基板与钡铁氧体膜层中氧的作用，在高温下形成氧化硅层的同时诱导在基板方向氧密排面形成，且基于氧化硅的六方晶形诱导钡铁氧体形成(00l)定向生长的六角板状钡铁氧体晶粒；制备得到的Ba间隙掺杂六角板状钡铁氧体取向生长薄膜，具有在平行于薄膜方向超高介电性能，介电常数高达～107；在易磁化轴c轴方向贡献高剩磁比，高达>90％；薄膜饱和磁化强度>100emu/cc。本发明制备方法简单、可控性强、制备周期短、成本低廉。这种钡铁氧体薄膜可以在介电材料以及功能器件领域得到应用。