本发明涉及一种双电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法与应用。本发明为了在不损失最大亮度的前提下解决量子点发光二极管中的正向老化现象，提出一种以SnO2纳米颗粒和ZnO纳米颗粒构成双电子传输层的量子点发光二极管器件的制备方法。其中SnO2纳米颗粒与量子点发光层直接接触，用于阻隔发光层向ZnO的电荷转移。ZnO纳米颗粒层与SnO2纳米颗粒层和阴极接触，用于保障高效电子注入。不同于传统QLED，本发明制备的量子点发光二极管器件能充分抑制正向老化，明显提升QLED的贮存稳定性、器件的电流和最大亮度。