摘要:
本发明提供一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法。具体方法为:建立反射率随温度变化的公式以及NEAGaN电子源反射率实时可变的模型;确定目标反射率R和工作时的入射光波长λ和初始偏离值s;获取工作温度T0以及当前NEAGaN电子源的反射率R0;将目标参数输入到温度校准模型,计算输出目标温度T1;获取温度为T1时NEAGaN电子源的反射率R1并计算偏离度s1,若s1小于偏离值s,输出温度T=T1,若s1大于偏离值s,则根据T1、R1进行下一次修正,再次计算得到温度T2与偏离度,并与设定值进行比较。根据如上步骤校准温度,直至sn小于偏离值s,最终输出目标R对应的最优温度T。本发明通过温度控制NEAGaN电子源反射率,具有自校准的功能,且控制灵活,启动快,可靠性高,可以精确实现实时自动控制NEAGaN电子源反射率的需求,进而提高稳定性。
公开/授权文献
- CN114927395A 一种实时控制NEA GaN电子源反射率的方法 公开/授权日:2022-08-19