本发明涉及一种低SET和RESET瞬时功率的阻变存储器及其制备方法其制备方法，包括依次层叠设置的衬底层（Si/SiO2）、粘附层（Ti）、底电极层（Pt）、限流层（SiO2）、阻变层（TaON）和上电极层（TiN）。本发明提出了TiN/TaON/SiO2/Pt结构的低SET、RESET瞬时功率的阻变存储器。将PECVD制备的SiO2作为限流层，防止阻变层形成厚的导电丝，阻止产生大电流。PECVD制备的SiO2含有较多的缺陷，电子可被注入SiO2薄膜内，SiO2薄膜中的缺陷可作为陷阱俘获电子，随着外加电场逐渐增强，这些被陷阱俘获的电子跃迁参与传导。