控制氮掺杂深度分布的方法和半导体器件

发明授权

CN114864395B 控制氮掺杂深度分布的方法和半导体器件有权

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专利标题： 控制氮掺杂深度分布的方法和半导体器件
申请号： CN202210780263.3

申请日： 2022-07-05
公开(公告)号： CN114864395B

公开(公告)日： 2022-09-23
发明人: 王文岩 , 余飞 , 辛孟阳 , 姜伟鹏 , 刘韬
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请人地址： 北京市大兴区北京经济技术开发区经海二路28号8幢
专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
当前专利权人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
当前专利权人地址： 北京市大兴区北京经济技术开发区经海二路28号8幢
代理机构： 北京易光知识产权代理有限公司
代理商 金爱静; 王姗姗
主分类号： H01L21/3115
IPC分类号： H01L21/3115 ; H01L21/3105

控制氮掺杂深度分布的方法和半导体器件

摘要：

本发明涉及一种控制氮掺杂深度分布的方法和半导体器件。所述控制氮掺杂深度分布的方法包括氧化步骤、氮化掺杂步骤和退火步骤；其中，所述氮化掺杂步骤包括源功率不同的第一等离子体氮化掺杂步骤和第二等离子体氮化掺杂步骤。根据本发明的控制氮掺杂深度分布的方法能够获得更宽的氮掺杂深度分布。

公开/授权文献

CN114864395A 控制氮掺杂深度分布的方法和半导体器件公开/授权日：2022-08-05

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理
H01L21/3115	.......绝缘层的掺杂