Invention Grant
- Patent Title: 一种基于可控硅的ESI源辅助气温控系统
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Application No.: CN202210416377.XApplication Date: 2022-04-20
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Publication No.: CN114840040BPublication Date: 2024-06-14
- Inventor: 卢会峰 , 李振 , 刘广才 , 冯新用 , 王晶 , 李亮 , 曹祥宽 , 郭宇 , 凌星 , 程文播
- Applicant: 天津国科医疗科技发展有限公司 , 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
- Applicant Address: 天津市东丽区开发区五经路16号4号楼;
- Assignee: 天津国科医疗科技发展有限公司,中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
- Current Assignee: 天津国科医疗科技发展有限公司,中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
- Current Assignee Address: 天津市东丽区开发区五经路16号4号楼;
- Agency: 北京远大卓悦知识产权代理有限公司
- Agent 杨明霞
- Main IPC: G05D23/20
- IPC: G05D23/20

Abstract:
本发明涉及基于可控硅的ES I源辅助气温控系统,包括:可控硅相位控制加热电路、双路保护电路,上述加热电路包括控制电路、隔离电路、执行电路,执行电路包括可控硅、加热电源,控制电路与控制器、双路保护电路、隔离电路连接,隔离电路与可控硅连接,可控硅与加热电源连接。使用可控硅相位控制技术,精确控制加热温度。采用光耦触发可控硅,解决了电路易受电网电压的波动和电源波形畸变的影响及同步问题。当温度超过第一设定上限值时,第一保护电路启动,停止加热,当温度降到第一设定上限值以下时,恢复加热。若第一保护电路失效,温度继续升高,超过第一设定上限值达到第二设定上限值时,第二保护电路启动,切断加热电源且不可自动恢复。
Public/Granted literature
- CN114840040A 一种基于可控硅的ESI源辅助气温控系统 Public/Granted day:2022-08-02
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