本发明提供了一种半导体器件单元及其制备方法，包括：衬底；第一有源区和两个第二有源区，均位于衬底中；两个场板，场板覆盖部分第一有源区并延伸覆盖部分衬底；两个栅极结构，栅极结构覆盖部分场板且栅极结构的两端与场板的两端对齐，栅极结构覆盖部分第一有源区并延伸覆盖部分衬底，其中，覆盖衬底的栅极结构的截面宽度小于覆盖第一有源区的栅极结构的截面宽度；源区，位于两个栅极结构之间的第一有源区和两个第二有源区中，且位于第一有源区上的部分栅极结构覆盖部分宽度的源区；源极插塞，与位于第二有源区中的部分源区电性连接；本发明利于缩小器件单元的面积。