- 专利标题: 一种低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法
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申请号: CN202210385649.4申请日: 2022-04-13
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公开(公告)号: CN114671437B公开(公告)日: 2022-11-25
- 发明人: 王城 , 杨成鹏 , 周加文
- 申请人: 合肥碳艺科技有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市高新区望江西路5089号中科大先研院嵌入式研发楼103-B6室
- 专利权人: 合肥碳艺科技有限公司
- 当前专利权人: 合肥碳艺科技有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市高新区望江西路5089号中科大先研院嵌入式研发楼103-B6室
- 代理机构: 合肥天明专利事务所
- 代理商 汪贵艳
- 主分类号: C01B32/977
- IPC分类号: C01B32/977
摘要:
本发明公开了本发明提供一种低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法,包括以下步骤:形成两个大气压磁旋转电弧等离子体,分别为上游等离子体和下游等离子体;在上游等离子体引入含硅的有机前驱体,在下游等离子体引入气态烃,在等离子体引发下反应获得低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒。其中,所述大气压磁旋转电弧等离子体具有非平衡特性,等离子体电子能量为2.0‑10.0eV,重粒子温度为500‑1500K。本发明工艺在常压下进行,反应条件温和;制备的非晶碳化硅纳米颗粒平均粒径小于10nm,颗粒表面氧原子数百分比低于3%,方便产品的储存、运输和应用。
公开/授权文献
- CN114671437A 一种低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法 公开/授权日:2022-06-28