- 专利标题: 一种含Mg室温可逆储氢高熵合金粉体材料及其制备方法
-
申请号: CN202111626296.4申请日: 2021-12-28
-
公开(公告)号: CN114275735A公开(公告)日: 2022-04-05
- 发明人: 斯庭智 , 张响响 , 李永涛 , 柳东明 , 张庆安
- 申请人: 安徽工业大学
- 申请人地址: 安徽省马鞍山市花山区湖东路59号
- 专利权人: 安徽工业大学
- 当前专利权人: 安徽工业大学
- 当前专利权人地址: 安徽省马鞍山市花山区湖东路59号
- 代理机构: 安徽顺超知识产权代理事务所
- 代理商 徐文恭
- 主分类号: C01B3/00
- IPC分类号: C01B3/00 ; C22C30/00 ; B22F9/02 ; B22F9/04
摘要:
本发明属于储氢材料技术领域,具体涉及一种含Mg室温可逆储氢高熵合金粉体及其制备方法,该材料的化学式为Mgx(Ti0.35V0.35Nb0.2Cr0.1)1‑x,其中x=0.01~0.25。本发明成功制备了一种含Mg室温可逆储氢高熵合金粉体,制备的Mgx(Ti0.35V0.35Nb0.2Cr0.1)1‑x高熵合金粉体能够加入的Mg含量最高可达25%,与传统高熵合金相比较,加入大量的轻质元素Mg,这大大降低了合金的密度;同时制备的Mgx(Ti0.35V0.35Nb0.2Cr0.1)1‑x高熵合金粉体具有室温可逆储氢以及循环稳定性高的特点,与其他含Mg高熵合金比较,具备在室温下就可以进行可逆吸放氢的突出效果;本发明制备方法简单、易控,生产设备投资少,生产过程无污染,易于工业化大规模生产。
公开/授权文献
- CN114275735B 一种含Mg室温可逆储氢高熵合金粉体材料及其制备方法 公开/授权日:2023-04-07