发明公开
- 专利标题： 存储单元的刷新方法、控制电路以及堆叠芯片
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申请号： CN202111396752.0申请日： 2021-11-23
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公开(公告)号： CN114141288A公开(公告)日： 2022-03-04
- 发明人: 左丰国 , 刘琦 , 李伟
- 申请人： 西安紫光国芯半导体有限公司
- 申请人地址： 陕西省西安市高新区丈八街办高新六路38号A座4楼
- 专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
- 当前专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市高新区丈八街办高新六路38号A座4楼
- 代理机构： 深圳市威世博知识产权代理事务所
- 代理商 黎坚怡
- 主分类号： G11C11/406
- IPC分类号： G11C11/406
摘要：
本申请涉及半导体存储器技术领域，尤其是涉及一种存储单元的刷新方法、控制电路、存储芯片以及堆叠芯片。其中，存储单元的刷新方法，包括：获取读写操作频率；基于所述读写操作频率调整存储单元的刷新频率。其能够在保证DRAM本身对刷新频率的要求下，动态调整刷新频率，提高读写操作效率。
