发明公开
- 专利标题: 制造半导体器件的方法和对应器件
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申请号: CN202110958716.2申请日: 2021-08-20
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公开(公告)号: CN114093778A公开(公告)日: 2022-02-25
- 发明人: F·V·丰塔纳 , M·罗维托
- 申请人: 意法半导体股份有限公司
- 申请人地址: 意大利阿格拉布里安扎
- 专利权人: 意法半导体股份有限公司
- 当前专利权人: 意法半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址: 意大利阿格拉布里安扎
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 董莘
- 优先权: 102020000020386 20200824 IT 17/398,710 20210810 US
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L21/67 ; H01L21/683
摘要:
本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法和对应器件。至少一个半导体芯片或裸片被保持在芯片保持器件中提供的芯片保存结构内。然后,芯片保持器件被定位,其中至少一个半导体芯片或裸片被布置成面向芯片安装基底中的芯片附接位置。该定位在布置在芯片保存结构处的至少一个半导体芯片或裸片与芯片安装基底中的芯片附接位置之间产生腔。芯片附接材料被分配到腔中。一旦被固化,在芯片安装基底中的芯片附接位置处,芯片附接材料将至少一个半导体芯片或裸片附接到基底上。
IPC分类: