本发明揭示了一种SGT MOS器件的制造方法，包括：在硅衬底上生长外延层并形成若干元胞沟槽，并形成第一氧化层、屏蔽栅和栅极沟槽；于栅极沟槽底部形成第二氧化层，栅极沟槽内壁形成第三氧化层，并在第二氧化层和第三氧化层上淀积栅极多晶硅，利用第二氧化层隔离栅极多晶硅；于元胞区的外延层上形成体区和源区；在外延层的表面淀积绝缘介质层，蚀刻形成接触孔；于元胞区顶层形成源极和栅极，于底层形成漏极，屏蔽栅、体区和源区和源极金属相连。本发明通过将体区和源极的接触转移到硅片表面，不需要在沟槽之间的硅片上刻蚀接触孔，取消了在沟槽之间的光刻，在同样实现体区连接源极达到同电位的目的下，本发明大幅减小沟槽间距，降低功率MOS管的导通电阻。