- 专利标题： 一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法
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申请号： CN202111361056.6申请日： 2021-11-17
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公开(公告)号： CN114089457B公开(公告)日： 2024-05-24
- 发明人: 王磊 , 李宗宴 , 李文喆 , 刘新鹏 , 孙峥 , 杨子曦 , 宋学颖 , 曲迪
- 申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
- 申请人地址： 天津市滨海新区生态城中天大道1620号生态科技园启发大厦12层101
- 专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
- 当前专利权人： 天津华慧芯科技集团有限公司
- 当前专利权人地址： 天津市滨海新区生态城中天大道1620号生态科技园启发大厦12层101
- 代理机构： 天津市鼎和专利商标代理有限公司
- 代理商 蒙建军
- 主分类号： G02B5/18
- IPC分类号： G02B5/18 ; G03F7/20
摘要：
本发明公开了一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法，属于半导体技术领域，其特征在于，包括：S1、在片源上涂胶；S2、电子束曝光；S3、显影；S4、SEM表征；S5、制作曝光版图；S6、Beamer软件模拟曝光剂量；S7、二次涂胶；S8、二次电子束曝光；S9、二次显影；S10、坚膜；S11、ICP刻蚀；S12、去胶。本发明提出一种可以制备周期
公开/授权文献
- CN114089457A 一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法 公开/授权日：2022-02-25
