晶片承载盘与晶片外延装置

发明授权

摘要：

本发明提供了一种晶片承载盘与晶片外延装置，涉及化学沉积装置技术领域，该晶片承载盘包括盘体和设置于盘体上的凹槽；盘体上，在凹槽的气体入口位置设有导流槽，导流槽位于凹槽与盘体侧壁之间并与凹槽贯通。该晶片承载盘缓解了晶片边缘处外延层沉积不均匀的技术问题，有效提高晶片边缘外延沉积质量。

公开/授权文献

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67	.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683	..用于支承或夹紧的（用于定位、定向或对准的入H01L21/68）