- 专利标题: 一种抑制SiC MOSFET超调的变电阻驱动电路
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申请号: CN202210032997.3申请日: 2022-01-12
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公开(公告)号: CN114070282B公开(公告)日: 2022-04-08
- 发明人: 秦海鸿 , 彭江锦 , 石伟杰 , 胡昊翔 , 韩翔 , 卜飞飞 , 陈文明 , 戴卫力 , 朱梓悦 , 谢利标 , 胡黎明
- 申请人: 南京航空航天大学 , 南京开关厂有限公司
- 申请人地址: 江苏省南京市秦淮区御道街29号;
- 专利权人: 南京航空航天大学,南京开关厂有限公司
- 当前专利权人: 南京航空航天大学,南京开关厂有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市秦淮区御道街29号;
- 代理机构: 江苏圣典律师事务所
- 代理商 徐晓鹭
- 主分类号: H03K17/082
- IPC分类号: H03K17/082 ; H03K17/042 ; H03K17/687
摘要:
本发明是关于一种抑制SiC MOSFET超调的变电阻驱动电路,包括SiC MOSFET,其特征在于,还包括正、负向供电电源之间的图腾柱结构电路、开通驱动电路、关断驱动电路和电压反馈信号调理电路,所述图腾柱结构电路的输出端分别连接开通、关断驱动电路的输入端,开通、关断驱动电路的输出端以及电压反馈信号调理电路的输入端与SiC MOSFET的栅极连接。本发明能够在充分保持SiC MOSFET高开关速度以及低损耗优势的情况下,对开关过程出现的电流电压超调进行有效的抑制。
公开/授权文献
- CN114070282A 一种抑制SiC MOSFET超调的变电阻驱动电路 公开/授权日:2022-02-18
IPC分类: