本发明涉及一种硅铬旋转溅射靶材及其制备方法。本发明靶材由15‑95份的Si和5‑85份的Cr作为原料，采用等离子喷涂工艺制备而成。制备工艺包括：S1粉体制备；S2背管喷砂；S3背管打底；S4等离子喷涂；S5激光熔覆；S6靶材抛光；S7靶材车两端及精修；S8检验、包装。本发明硅铬旋转溅射靶材具有较高的致密度，氧含量低，机械强度、导电率、溅射效率等性能较佳。上述技术效果的取得是产品配方、制备方法等多个技术手段综合作用的结果。