发明授权
- 专利标题: 一种高精度带隙基准电压源电路
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申请号: CN202111234236.8申请日: 2021-10-22
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公开(公告)号: CN113885640B公开(公告)日: 2024-10-01
- 发明人: 马辉 , 黄海滨 , 方帅
- 申请人: 杭州思泰微电子有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市富阳区春江街道富春湾大道2723号17幢295号
- 专利权人: 杭州思泰微电子有限公司
- 当前专利权人: 杭州思泰微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市富阳区春江街道富春湾大道2723号17幢295号
- 代理机构: 无锡盛阳专利商标事务所
- 代理商 张宁; 杨辰
- 主分类号: G05F1/567
- IPC分类号: G05F1/567
摘要:
本发明涉及模拟电路技术领域,具体为一种高精度带隙基准电压源电路,其能够消除传统结构中运算放大器的失调电压对基准电压的影响,大大提高基准电压的精度,其包括电源VDD,所述电源VDD连接MOS管M0的源端,所述MOS管M0的漏端连接电阻R1,所述电阻R1另一端分别连接电阻R2一端和电阻R3一端,所述电阻R2另一端连接电阻R4一端,所述电阻R4另一端连接三极管Q1的发射极、所述电阻R3另一端连接三极管Q2的发射极,所述三极管Q1和所述三极管Q2的集电极、基极均接地。
公开/授权文献
- CN113885640A 一种高精度带隙基准电压源电路 公开/授权日:2022-01-04
IPC分类: