本发明公开了一种柔性超拉伸超疏水电子器件基底及其制备方法和应用。制备方法如下：(1)将苯乙烯‑异戊二烯‑苯乙烯嵌段共聚物(SIS)溶于溶剂中形成溶液A；(2)将氟化二氧化硅纳米颗粒(F‑SiO2NPs)在乙醇溶液中超声分散，形成分散液B；(3)将溶液A和分散液B基于共轭静电纺丝并经收集器收集后制备得到超拉伸超疏水电子器件基底。本发明提供的柔性电子器件基底具有拉伸率高、疏水性良好，可应用于制作电子器件基底薄膜，具有较大的应用前景和应用价值。本发明的原材料成本低廉，共轭静电纺丝加工方法具备大规模工业化应用的潜力。