本发明提供一种增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法，该外延自下向上依次包括形成于衬底上的C掺杂c‑GaN高阻层、本征u‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、阻镁扩散层及Mg掺杂p‑GaN帽层；阻镁扩散层包括Mg掺杂p‑AlGaN层，且该Mg掺杂p‑AlGaN层中的Mg以Mg‑H键的形式被充分钝化，以降低Mg的活性，同时Mg掺杂p‑AlGaN层中Mg的掺杂浓度大于所述Mg掺杂p‑GaN帽层中Mg的掺杂浓度。由于将阻镁扩散层结构中Mg掺杂p‑AlGaN层的Mg设置为Mg‑H键的形式使Mg被钝化，可有效降低Mg的活性同时Mg掺杂p‑AlGaN层中Mg的掺杂浓度大于Mg掺杂p‑GaN帽层中Mg的掺杂浓度，两者形成一定的Mg浓度差，可以有效阻断Mg掺杂p‑GaN帽层中的Mg向下扩散，从而有效阻挡和降低Mg掺杂p‑GaN帽层中的Mg扩散至AlGaN势垒层及本征u‑GaN沟道层，提高器件的导通性能。