发明授权
- 专利标题: 一种精细调控纳米多孔钨的制备方法
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申请号: CN202111207506.6申请日: 2021-10-15
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公开(公告)号: CN113774461B公开(公告)日: 2023-01-20
- 发明人: 李洪义 , 吴亚航 , 王心心 , 周文元 , 常玉昆 , 陈言慧 , 许世宇 , 王越
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 张立改
- 主分类号: C25D11/26
- IPC分类号: C25D11/26
摘要:
一种精细调控纳米多孔钨的制备方法,属于纳米孔薄膜技术领域。通过阳极氧化法,在含氟离子的酸性环境下,进行恒压原位合成有序多孔三氧化钨(WO3)纳米材料薄膜,获得的纳米多孔三氧化钨在400‑700℃还原气体氢气中进行2‑4h脱氧退火热处理,最终得到孔径为50nm到80nm,孔深为200nm‑1000nm分布均匀,排列规整纳米多孔钨的方法。由此方法获得的纳米多孔钨我们可以通过控制氧化条件和环境进而制备出孔径从不规整到规整,孔深从200nm到1000nm进行选择制备,再加上钨金属的高耐腐性,化学性质稳定,具有广泛的应用前景。纳米多孔钨由于具有比表面积大,活性位点多等特点,所以被广泛应用于能量存储、催化、催化载体和传感等领域。
公开/授权文献
- CN113774461A 一种精细调控纳米多孔钨的制备方法 公开/授权日:2021-12-10