半导体结构

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摘要：

半导体结构包括：衬底，具有密封环区域和电路区域；一个或多个介电层，设置在衬底上；连接结构，设置在密封环区域中的一个或多个介电层中，其中，连接结构包括金属层的堆叠件和连接金属层的堆叠件的金属通孔；以及金属插塞，设置在衬底和密封环区域中的连接结构之间，其中，金属插塞在截面图中具有多台阶轮廓。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/16	.容器中的填充料或辅助构件，例如定心环（H01L23/42，H01L23/552优先）
H01L23/18	..按材料，它的物理或化学性能，或者在其完整器件内以它的配置为特点进行区分的填充料