发明授权
- 专利标题： 存储器及其形成方法
-
申请号： CN202111019363.6申请日： 2019-01-02
-
公开(公告)号： CN113707665B公开(公告)日： 2024-05-07
- 发明人: 刘毅华 , 刘峻 , 范鲁明
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 上海盈盛知识产权代理事务所
- 代理商 孙佳胤; 高翠花
- 主分类号： H10B43/35
- IPC分类号： H10B43/35 ; H10B43/27
摘要：
本发明涉及一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供一衬底、形成于所述衬底之上的存储堆叠结构、贯穿所述存储堆叠结构的沟道柱结构和隔离墙，所述隔离墙底部的衬底内形成有共源极；对所述衬底背面进行减薄；在所述减薄后的衬底背面形成导电层，连接所述共源极，所述导电层作为共源极接触部。上述方法有利于提高存储器的性能。
公开/授权文献
- CN113707665A 存储器及其形成方法 公开/授权日：2021-11-26
