一种近室温巨磁介电效应的Mn2V2O7晶体及其制备方法和应用
摘要:
本发明公开了一种近室温巨磁介电效应的Mn2V2O7晶体及其制备方法和应用,所述Mn2V2O7晶体在外加磁场为1T时,在291K(升温)和253K(降温)温度下,最大的磁介电响应为‑18%。本发明制备的Mn2V2O7晶体材料可用作磁介电效应信息传感材料及制备相应的磁介电效应器件,在磁介电效应传感及信息领域具有重大的潜在应用价值。
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