- 专利标题： 一种含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的制备及缺陷测试方法
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申请号： CN202111109074.5申请日： 2021-09-22
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公开(公告)号： CN113654866B公开(公告)日： 2024-03-01
- 发明人: 王肖义 , 李瑞佼 , 段亚伟
- 申请人： 河北光兴半导体技术有限公司 , 东旭科技集团有限公司 , 东旭光电科技股份有限公司
- 申请人地址： 河北省石家庄市高新区黄河大道9号
- 专利权人： 河北光兴半导体技术有限公司,东旭科技集团有限公司,东旭光电科技股份有限公司
- 当前专利权人： 河北光兴半导体技术有限公司,东旭科技集团有限公司,东旭光电科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 河北省石家庄市高新区黄河大道9号
- 代理机构： 北京英创嘉友知识产权代理事务所
- 代理商 耿超
- 主分类号： G01N1/28
- IPC分类号： G01N1/28 ; G01N1/32 ; G01N23/225 ; G01N23/227
摘要：
本公开涉及一种含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的制备及缺陷测试方法，该方法包括对含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的切割、对含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品切割面的研磨抛光和腐蚀以及对含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的缺陷测试；该方法通过倾斜切割、用腐蚀剂腐蚀切割面，使得接近切割面的缺陷部位能够暴露，缺陷更容易被发现，进而更容易被测试。另外，该方法利用能谱仪快
公开/授权文献
- CN113654866A 一种含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的制备及缺陷测试方法 公开/授权日：2021-11-16
