本发明公开了一种红光LED芯片及其制造方法，在芯片的氧化铝衬底上生长氮化镓外延片，衬底具备绝缘性；发光部分为GaN，其工作电压与蓝绿光的工作电压一致，便于红光LED与蓝绿光LED组合使用时进行电路设计；按照预设角度对外延缓冲层和外延片进行刻蚀，得到氮化镓聚焦层，在衬底侧壁制备黑化层，能够减少侧面漏光比例，并且通过氮化镓聚焦层能够使蓝光聚焦，从而减少蓝光发射到侧壁黑化层的比例，提高出光效率；将红光转换物质涂覆在黑化层外以及衬底远离外延片的一端，能够将蓝光转换为红光，从而得到红光LED芯片，提高了红光LED的整体性能，且便于红光LED与蓝绿光LED组合使用。