发明公开
- 专利标题： 半导体封装结构及其制造方法
-
申请号： CN202110408837.X申请日： 2021-04-16
-
公开(公告)号： CN113540037A公开(公告)日： 2021-10-22
- 发明人: 方绪南 , 庄淳钧
- 申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾高雄市楠梓区经三路26号
- 专利权人： 日月光半导体制造股份有限公司
- 当前专利权人： 日月光半导体制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾高雄市楠梓区经三路26号
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 蕭輔寬
- 优先权： 16/852,259 20200417 US
- 主分类号： H01L23/544
- IPC分类号： H01L23/544 ; H01L23/498 ; H01L23/31 ; H01L21/50 ; H01L21/56
摘要：
本發明提供一种半导体封装结构和一种用于制造半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包含第一钝化层、第一金属层和第一半导体裸片。所述第一金属层嵌入于所述第一钝化层中。所述第一金属层界定第一穿孔。所述第一半导体裸片安置于所述第一钝化层上。
IPC分类:
