Invention Grant
- Patent Title: 反熔丝单元及反熔丝阵列
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Application No.: CN202010268402.5Application Date: 2020-04-08
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Publication No.: CN113496988BPublication Date: 2023-12-12
- Inventor: 刘志拯
- Applicant: 长鑫存储技术有限公司
- Applicant Address: 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- Agency: 华进联合专利商标代理有限公司
- Agent 史治法
- Main IPC: H01L23/525
- IPC: H01L23/525 ; H10B12/00 ; H10B20/25

Abstract:
本发明涉及一种反熔丝单元,包括:反熔丝器件;第一选择晶体管,与反熔丝器件电连接;第二选择晶体管,第二选择晶体管与第一选择晶体管电连接;反熔丝器件、第一选择晶体管、第二选择晶体管具有相同厚度的栅极氧化层和栅极导电层。在进行反熔丝测试时第一选择晶体管和第二选择晶体管可以分压,因此第一选择晶体管和第二选择晶体管内部的栅极氧化层能够做的薄一些,与反熔丝器件内的栅极氧化层厚度一致,因此三者的栅极氧化层可以在同一步骤中同步生成,同理三者的栅极导电层也能够在同一步工艺中生成,避免了因为栅极氧化层厚度不一样导致的工艺复杂化,在满足反熔丝单元承受较高击穿电压的同时简化了工艺步骤提高了生产效率。
Public/Granted literature
- CN113496988A 反熔丝单元及反熔丝阵列 Public/Granted day:2021-10-12
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IPC分类: