本公开涉及一种台阶型红外探测器，红外探测器中CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，红外探测器中，悬空微桥结构临近CMOS测量电路系统的表面对应柱状结构所在位置呈阶梯状，悬空微桥结构未与柱状结构接触的表面高于悬空微桥结构与柱状结构接触的表面，柱状结构为实心柱状结构，加固结构对应柱状结构设置且位于柱状结构远离CMOS测量电路系统的一侧。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差等问题，有效降低了牺牲层中间区域的凹陷程度，优化了整个红外探测器的平坦化程度，提升了红外探测器的结构稳定性。