本发明一种功率绝缘体上的硅衬底的制备工艺，包括准备一片硅外延片作器件层硅衬底，一片氧化硅片做支撑硅衬底，进行等离子表面活化处理后，常温键合后进行低温退火，采用机械研磨的减薄方式后，利用快腐加慢腐的两步选择性酸腐蚀去除衬底硅单晶，进行CMP抛光处理，接着进行高温的氧化减薄处理，最后通过稀释的氢氟酸腐蚀去除高温氧化生长的氧化硅；键合后的低温退火温度不超过400度；键合片的抛光去除量不超过1um,高温氧化退火的温度不低于900度，最后通过湿法清洗工艺去除表面氧化层后得到所需的绝缘体上硅衬底。本发明通过选择性腐蚀和CMP抛光加高温热氧化的减薄方式，精确地控制功率绝缘体上的硅衬底器件层的厚度及均匀性。