Invention Publication
- Patent Title: 扇出型堆迭式半导体封装结构的多层模封方法
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Application No.: CN202010158099.3Application Date: 2020-03-09
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Publication No.: CN113363166APublication Date: 2021-09-07
- Inventor: 刘圣捷
- Applicant: 力成科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹县
- Assignee: 力成科技股份有限公司
- Current Assignee: 力成科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹县
- Agency: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- Agent 张燕华
- Priority: 109107148 20200304 TW
- Main IPC: H01L21/56
- IPC: H01L21/56 ; H01L21/60
Abstract:
本发明是一种扇出型堆迭式半导体封装结构的多层模封方法，准备二个不同尺寸的模塑空间，将制程中先完成的第一半导体结构置入尺寸小的第一模塑空间，以完成第一封胶体；再将之后完成的第二半导体结构置入尺寸较大的第二模塑空间，以完成第二封胶体，且该第二封胶体连同第一封胶体一并包覆；是以，本发明的多层模封方法可适用于使用大尺寸载板的扇出型面板级封装制程，也不必使用昂贵的压模胶。
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