本申请涉及一种SiC基半导体的激光退火方法，包括：确定SiC基底上的金属膜的相关参数，所述金属膜的相关参数至少包括金属类型、金属膜厚度；根据金属膜的相关参数确定激光参数，所述激光参数至少包括功率密度、脉宽；按照确定的激光参数，采用半导体激光器产生对应的脉冲激光对SiC基半导体进行退火处理。本申请采用半导体激光器实现SiC基半导体欧姆接触激光退火，可以取代成本较高的固体激光器，在成本上具备巨大优势；半导体激光的功率密度和脉宽容易调节，可以针对不同金属类型、不同膜厚的工况调节激光参数，进行欧姆接触激光退火；半导体激光器较低的功率密度，可以对更厚的金属膜进行激光退火，满足更广泛的工艺应用范围。(56)对比文件SG 188277 A1,2013.04.30CN 111383916 A,2020.07.07刘敏等.SiC减薄工艺及薄片SiC肖特基二极管的制备.微纳电子技术.2020,(09),5-10.于威等.脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光.光谱学与光谱分析.2005,(04),27-29.于威等.碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究.物理学报.2004,(06),314-318.刘敏;何志;钮应喜;王晓峰;杨霏;杨富华.激光退火形成Ni/4H-SiC欧姆接触.半导体技术.2016,(第9期),55-59.宋马成.半导体激光退火(Ⅰ)――温升的简单计算和激光参数的选择.微纳电子技术.1981,(第4期),9-14.