Invention Grant
- Patent Title: 用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构
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Application No.: CN202110587376.7Application Date: 2018-12-07
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Publication No.: CN113327910BPublication Date: 2023-10-31
- Inventor: X·陈 , V·伯纳帕里 , H·林
- Applicant: 高通股份有限公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 高通股份有限公司
- Current Assignee: 高通股份有限公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 杨丽; 亓云
- Main IPC: H01L23/522
- IPC: H01L23/522 ; H01L23/528 ; H01L23/532 ; H01L27/02 ; H01L27/118 ; H01L29/06
Abstract:
本申请涉及用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构。根据本公开的某些方面，一种芯片包括：第一栅极、第二栅极、第一源极、设置在第一源极上的第一源极触点、在第一源极触点和第一栅极上方的金属互连、将第一栅极电耦合至该金属互连的第一栅极触点、以及将第一源极触点电耦合至该金属互连的第一通孔。该芯片还包括电源轨以及将第一源极触点电耦合至该电源轨的第二通孔。第二栅极处于第一源极与第一栅极之间，并且金属互连在第二栅极上方通过。
Public/Granted literature
- CN113327910A 用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构 Public/Granted day:2021-08-31
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IPC分类:
