发明公开
- 专利标题: 一种铌涂层的熔盐电沉积方法
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申请号: CN202110567587.4申请日: 2021-05-24
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公开(公告)号: CN113279030A公开(公告)日: 2021-08-20
- 发明人: 朱利安 , 白书欣 , 王震 , 叶益聪 , 胡双鹏 , 王淑祥 , 万红 , 李顺 , 唐宇 , 刘希月
- 申请人: 中国人民解放军国防科技大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 代理机构: 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- 代理商 邱轶
- 主分类号: C25D3/66
- IPC分类号: C25D3/66 ; C25D21/14
摘要:
本发明提供了一种铌涂层的熔盐电沉积方法,采用NaCl‑KCl‑CsCl体系做支持电解质,K2NbF7为活性盐,并对支持电解质和活性盐进行预处理,在氩气保护性气氛下,将预处理后的支持电解质加热至750℃充分熔化后,通入氯气进行氯化处理,将冷却后的支持电解质与活性盐在坩埚中混合均匀得到熔盐;并对镀件进行预处理;然后抽真空使电镀装置的压力低于100Pa,通入惰性气体,在电镀装置中将预处理后的镀件放入制得的熔盐中,控制电镀温度在650℃‑850℃之间,根据所需涂层的厚度选择相应的电流形式和电镀时间进行电镀,得到表面含有铌涂层的镀件。该方法环境友好、高效低成本,且制得的铌涂层均匀性好。
公开/授权文献
- CN113279030B 一种铌涂层的熔盐电沉积方法 公开/授权日:2022-07-19