本发明涉及含Sc掺杂的源空气桥结构GaN射频HEMT及其制备方法，该器件中在AlN层中掺杂Sc(钪)，将ScAlN引入AlGaN/GaN势垒中，AlGaN层、ScAlN层和GaN过渡层共同构成一个特殊结构的异质结，增加了器件的自发和压电(应变相关)电荷极化，使得其二维电子气(2‑DEG)薄层电荷的载流子密度提高数倍，与此同时，应变驰豫问题也得到了很好的控制，这一特殊的异质结结构增强了器件射频性能和可靠性。另一方面，该器件中的源空气桥结构，能够相对其他介质桥结构降低寄生电容，在上述异质结的基础上进一步增强器件的射频性能。