- 专利标题： 高介电常数及储能密度的复合材料及其制备与应用
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申请号： CN202110424521.X申请日： 2021-04-20
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公开(公告)号： CN113121980B公开(公告)日： 2022-05-10
- 发明人: 蒲琳钰 , 黄旭 , 刘敬松 , 曾晶晶 , 李昱
- 申请人： 西南科技大学
- 申请人地址： 四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号
- 专利权人： 西南科技大学
- 当前专利权人： 西南科技大学
- 当前专利权人地址： 四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号
- 主分类号： C08L71/10
- IPC分类号： C08L71/10 ; C08K9/10 ; C08K3/22 ; C08K7/00 ; C08J5/18 ; H01G4/18 ; H01G4/08
摘要：
本发明公开了高介电常数及储能密度的复合材料及其制备与应用。其中所述复合材料包括以下原料组分：粒径为20‑200纳米的聚多巴胺包覆的纳米钛酸钡、层厚为2‑15层的片状纳米氮化硼和数均分子量为10000‑100000g/mol的聚芳醚腈。本发明的复合材料兼具较高的介电常数、击穿强度及较好的储能密度，可应用于高储能密度电容器中。
公开/授权文献
- CN113121980A 高介电常数及储能密度的复合材料及其制备与应用 公开/授权日：2021-07-16
