发明授权
- 专利标题： 一种光通信芯片欧姆接触电极的制作方法
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申请号： CN202110121320.2申请日： 2021-01-28
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公开(公告)号： CN112993063B公开(公告)日： 2022-08-19
- 发明人: 赵亮 , 葛婷 , 尹建峰
- 申请人： 湖北光安伦芯片有限公司
- 申请人地址： 湖北省鄂州市葛店开发区高新三路光谷联合科技城第C9幢5单元
- 专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
- 当前专利权人： 湖北光安伦芯片有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省鄂州市葛店开发区高新三路光谷联合科技城第C9幢5单元
- 代理机构： 北京汇泽知识产权代理有限公司
- 代理商 代婵
- 主分类号： H01L31/0224
- IPC分类号： H01L31/0224 ; H01L31/18 ; H01L33/40 ; H01L33/00
摘要：
本发明涉及一种光通信芯片欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：在光通信芯片P面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述P面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行P面合金化退火，P面合金化退火温度为T1；在光通信芯片N面制作依次为Ti/Pt/Au单质金属的叠层欧姆接触电极；对上述N面Ti/Pt/Au欧姆接触电极进行N面合金化退火，N面合金化退火温度为T2；上述P面合金化退火温度T1高于上述N面合金化退火温度T2。采用本发明的欧姆接触电极制作工艺可以得到工艺稳定、接触电阻低的欧姆接触电极，且匹配了解理切割工艺，最终获得了性能稳定、芯片外观优良、成品率高的光通信芯片。
公开/授权文献
- CN112993063A 一种光通信芯片欧姆接触电极的制作方法 公开/授权日：2021-06-18
IPC分类:
