一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有多个核心层、以及保形覆盖核心层和基底的侧墙材料层，相邻的核心层和基底围成凹槽，凹槽的延伸方向为第一方向，与第一方向相垂直的为第二方向；在侧墙材料层上形成具有开口的牺牲层，开口位于部分凹槽上方，在第一方向上，开口露出相对应的凹槽的部分底部，且在第二方向上，开口露出凹槽两侧的核心层的部分顶部；去除开口露出的核心层顶部的侧墙材料层；至少填充牺牲层露出的凹槽，形成阻挡层；去除牺牲层；以阻挡层为掩膜，去除位于核心层顶部以及凹槽底部的侧墙材料层，形成侧墙层；形成侧墙层后，去除核心层。本发明避免出现核心层去除不完全的问题，以提高图形传递的精度。