摘要：
本发明公开了一种基于浅刻蚀多模干涉耦合器的偏振不敏感型光功分器，由下至上依次为硅基衬底、掩埋氧化层、光功分部件和上包层，其中掩埋氧化层生长于硅基衬底的上表面，上包层覆盖掩埋氧化层的上表面，光功分部件水平生长于掩埋氧化层的上表面，并被上包层覆盖。本发明能够实现偏振不敏感的功能，并且大大降低光功分器的插入损耗，提高器件工作带宽，缩短器件的尺寸，降低器件的制造难度。
公开/授权文献
- CN112904477A 一种基于浅刻蚀多模干涉耦合器的偏振不敏感型光功分器 公开/授权日：2021-06-04
