发明公开
摘要：
本发明公开了一种大横截面单模光纤，包括芯层结构和包层结构，芯层结构包括两个半径不相等、横截面呈半圆形的轻掺杂SiO2芯层，两个芯层的直径所在平面相贴合且横截面的圆心重合；包层结构包裹在芯层结构外围，包层结构的外边缘横截面呈圆形，其圆心与芯层横截面的圆心重合，包层结构为重掺杂的SiO2形成。本发明的光纤芯层截面积较大，有利于传输大功率单模光。
公开/授权文献
- CN112666650B 大横截面单模光纤 公开/授权日：2022-07-22
