发明授权
- 专利标题： 改善半导体器件内应力的方法及半导体器件
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申请号： CN201910944480.X申请日： 2019-09-30
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公开(公告)号： CN112582253B公开(公告)日： 2022-03-22
- 发明人: 张春雷
- 申请人： 长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- 专利权人： 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人： 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- 代理机构： 华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 虞凌霄
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/66
摘要：
本发明涉及一种改善半导体器件内应力的方法及半导体器件。该方法包括：获取衬底；在所述衬底上沉积第一层薄膜；在所述第一层薄膜上沉积第二层薄膜，所述第二层薄膜和所述第一层薄膜的伸缩趋势相反。通过在衬底上沉积伸缩趋势相反的第一层薄膜和第二层薄膜来减小半导体器件的内应力，从而减小半导体器件上薄膜的翘曲，避免沉积第二层薄膜后半导体器件上的薄膜发生断裂的问题。
公开/授权文献
- CN112582253A 改善半导体器件内应力的方法及半导体器件 公开/授权日：2021-03-30
IPC分类:
