发明授权
- 专利标题： 一种锂电池硅基薄膜负极片及其制备方法
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申请号： CN202011400544.9申请日： 2020-12-03
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公开(公告)号： CN112542573B公开(公告)日： 2022-02-11
- 发明人: 魏立帅 , 曹新龙 , 王夏阳 , 霍林智 , 杨时峰 , 薛孟尧
- 申请人： 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
- 申请人地址： 陕西省西安市高新区锦业一路2号陕西煤业化工集团公司
- 专利权人： 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
- 当前专利权人： 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市高新区锦业一路2号陕西煤业化工集团公司
- 代理机构： 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 张海平
- 主分类号： H01M4/134
- IPC分类号： H01M4/134 ; H01M4/131 ; H01M4/62 ; H01M4/1395 ; H01M4/1391 ; H01M4/04 ; C23C14/06 ; C23C14/08 ; C23C14/16 ; C23C14/35 ; C23C14/58
摘要：
本发明公开了一种锂电池硅基薄膜负极片及其制备方法，采用卷对卷磁控溅射技术直接制备硅基薄膜负极片，在溅射硅或氧化亚硅薄膜处于岛状成膜阶段，引入脉冲式快速光热退火，使其快速凝聚成纳米微球，进而引入类石墨碳缓冲层填补纳米球间隙并覆盖的方式，可以有效抑制纳米硅基材料的膨胀，同时增强了极片的导电性。
公开/授权文献
- CN112542573A 一种锂电池硅基薄膜负极片及其制备方法 公开/授权日：2021-03-23
