发明授权
- 专利标题： 一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片及其制备方法
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申请号： CN202011242930.X申请日： 2020-11-09
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公开(公告)号： CN112530695B公开(公告)日： 2022-08-09
- 发明人: 马艳红 , 刘杰鹏 , 邱基华 , 陈烁烁 , 张磊 , 徐苏龙 , 孙健
- 申请人： 潮州三环(集团)股份有限公司 , 深圳三环电子有限公司
- 申请人地址： 广东省潮州市凤塘镇三环工业城;
- 专利权人： 潮州三环(集团)股份有限公司,深圳三环电子有限公司
- 当前专利权人： 潮州三环（集团）股份有限公司
- 当前专利权人地址： 521000 广东省潮州市凤塘三环工业城内综合楼
- 代理机构： 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理商 颜希文; 周全英
- 主分类号： H01G4/12
- IPC分类号： H01G4/12 ; H01G4/005 ; H01G4/30 ; H01G13/00
摘要：
本发明提供了一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片的制备方法，属于多层陶瓷电容器领域。本发明采用半成型工艺，降低了陶瓷芯片的形变，避免了介质层与内电极层之间以及介质层与介质层之间产生裂纹和脱层；通过表面印有内电极图案的PET离型膜转印电极，有效减少了内电极浆料中的有机溶剂对陶瓷介质的浸蚀。
公开/授权文献
- CN112530695A 一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片及其制备方法 公开/授权日：2021-03-19
