本发明公开了一种含Ti的Si‑C‑N陶瓷先驱体及其合成方法和应用，将聚甲基硅烷先置于反应釜中，将反应釜升温至80～120℃，然后将含乙烯基聚硅氮烷(Vi‑PSN)滴加进反应釜，第一次回流反应，冷却至室温后，再将TiCl4滴加至反应釜内，第二次回流反应，即得含Ti的Si‑C‑N陶瓷先驱体。本发明的合成方法，先将Vi‑PSN与PMS反应，将烯基基团及N元素带入到PMS的分子结构中，然后再利用TiCl4中的Ti‑Cl键与PMS中的Si‑H反应，对PMS进行灭活处理，同时给先驱体引入Ti元素。所得Si‑C‑N陶瓷先驱体在空气中稳定；并且Ti元素的存在，能够提高陶瓷先驱体与基材之间的粘结性以及烧结陶瓷自身的致密度，从而在一定程度上提高复材的力学性能。