一种多晶硅薄膜的处理方法

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专利标题： 一种多晶硅薄膜的处理方法
申请号： CN202011287400.7

申请日： 2020-11-17
公开(公告)号： CN112397382B

公开(公告)日： 2023-01-20
发明人: 孙翔
申请人： 云谷(固安)科技有限公司
申请人地址： 河北省廊坊市固安县新兴产业示范区
专利权人： 云谷(固安)科技有限公司
当前专利权人： 云谷(固安)科技有限公司
当前专利权人地址： 河北省廊坊市固安县新兴产业示范区
代理机构： 北京华进京联知识产权代理有限公司
代理商 方晓燕
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/311 ; H01L21/336

摘要：

本发明涉及一种多晶硅薄膜的处理方法和薄膜晶体管的制作方法，该多晶硅薄膜的处理方法包括：在所述多晶硅薄膜表面沉积无机膜层，使用刻蚀粒子对所述无机膜层远离所述多晶硅薄膜一侧表面进行刻蚀，能够减小多晶硅薄膜的表面粗糙度并能够避免刻蚀粒子对多晶硅薄膜造成损伤，从而能够减小使用该多晶硅薄膜作为有源层的薄膜晶体管的漏电流，进而使得将该薄膜晶体管应用于显示装置中时，能够有效提高显示装置的显示效果。

公开/授权文献

CN112397382A 一种多晶硅薄膜的处理方法公开/授权日：2021-02-23

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀