- 专利标题: C、Al双元素注入制备低摩擦氟硅橡胶表面的方法
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申请号: CN202011362699.8申请日: 2020-11-27
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公开(公告)号: CN112376033B公开(公告)日: 2021-07-23
- 发明人: 张斌 , 贾倩 , 张俊彦 , 杨生荣 , 王宏刚
- 申请人: 中国科学院兰州化学物理研究所
- 申请人地址: 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
- 专利权人: 中国科学院兰州化学物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院兰州化学物理研究所
- 当前专利权人地址: 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
- 代理机构: 兰州智和专利代理事务所
- 代理商 张英荷
- 主分类号: C23C14/48
- IPC分类号: C23C14/48 ; C23C14/06 ; C23C14/20 ; C08J7/12
摘要:
本发明公开了一种C、Al双元素注入制备低摩擦氟硅橡胶表面的方法,是采用真空电弧离子源,在氟硅橡胶表面依次注入C、Al,获得机械强度改善的低摩擦氟硅橡胶,氟硅橡胶的摩擦系数从0.8降低到0.25左右。本发明由于氟硅橡胶C元素的掺入能够有效提高了FVMQ机械强度、耐油性和溶胀性;Al元素的掺入能够降低FVMQ的摩擦系数,获得低摩擦补强FVMQ,对工业应用来说,本发明具有重要意义。另外,本发明采用Mevva‑5.Ru真空电弧离子源在FVMQ表面进行了双元素(C和Al)的序列注入,其操作简单,可控性强。
公开/授权文献
- CN112376033A C、Al双元素注入制备低摩擦氟硅橡胶表面的方法 公开/授权日:2021-02-19
IPC分类: