发明授权
- 专利标题: 高速大容量存储器及写入、读取和擦除方法
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申请号: CN201910720242.0申请日: 2019-08-06
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公开(公告)号: CN112346646B公开(公告)日: 2023-05-23
- 发明人: 李羚梅 , 刘博 , 尚进 , 云天嵩 , 蒋航 , 苏晓旭 , 李鑫儒 , 何海星 , 赵保磊
- 申请人: 天津光电通信技术有限公司
- 申请人地址: 天津市河西区泰山路6号
- 专利权人: 天津光电通信技术有限公司
- 当前专利权人: 天津光电通信技术有限公司
- 当前专利权人地址: 天津市河西区泰山路6号
- 代理机构: 天津合正知识产权代理有限公司
- 代理商 吕琦
- 主分类号: G06F3/06
- IPC分类号: G06F3/06
摘要:
本发明提供一种高速大容量存储器及写入、读取和擦除方法,高速大容量存储器包括:8行8列NAND FLASH存储芯片;8组控制线,每组控制线控制每列8片NAND FLASH存储芯片;32组数据线,每组数据线分别与每横向两片NAND FLASH存储芯片电连接,用于实现读写;FPGA,与所述8组控制线和32组数据线电连接,用于根据时序操作对NAND FLASH存储芯片进行读写控制。采用8X8共64片NAND FLASH组成存储阵列,每片FLASH存储容量为128Gb,可得总存储容量为1TB。并利用时序和多数据线复用方式实现高速读写功能,速率需要不小于819.2MB/S。
公开/授权文献
- CN112346646A 高速大容量存储器及写入、读取和擦除方法 公开/授权日:2021-02-09