高速大容量存储器及写入、读取和擦除方法
摘要:
本发明提供一种高速大容量存储器及写入、读取和擦除方法,高速大容量存储器包括:8行8列NAND FLASH存储芯片;8组控制线,每组控制线控制每列8片NAND FLASH存储芯片;32组数据线,每组数据线分别与每横向两片NAND FLASH存储芯片电连接,用于实现读写;FPGA,与所述8组控制线和32组数据线电连接,用于根据时序操作对NAND FLASH存储芯片进行读写控制。采用8X8共64片NAND FLASH组成存储阵列,每片FLASH存储容量为128Gb,可得总存储容量为1TB。并利用时序和多数据线复用方式实现高速读写功能,速率需要不小于819.2MB/S。
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