本发明提供了一种超细晶结构的Cu‑Ti系合金，其包括按质量百分比计的：Ti 2‑4％、Mg 0‑2.5％、B 0‑0.1％和La 0‑0.1％，其余为Cu和不可避免的杂质，本发明提供的技术方案制备了综合性能优异的Cu‑Ti系合金，其电导率可达12.34‑18.89％IACS、屈服强度879‑1076Mpa、晶粒尺寸仅有0.22～0.41μm，本发明的技术方案有效克服了现有技术中高电导率、高强度和小晶粒尺寸不能共存的弊端，本发明提供的制备方法获得了分布均匀的纳米级第二相，从而进一步提高了合金的强度和导电性，极大满足了电子电器工业对新一代连接器材料的性能要求。