本发明提供了一种基于石墨烯电极的垂直结构深紫外LED，属于深紫外LED技术领域，由下至上依次包括支撑衬底、石墨烯导电层、外延结构、金属接触电极；石墨烯导电层为单晶、单层石墨烯材料，同时作为外延结构生长的柔性衬底以及器件的n导电电极，石墨烯导电层与顶层p接触电极在c轴生长方向上相对应。本发明还提供了上述深紫外LED的制备方法，用光刻工艺在SiO2表面制备光刻胶掩膜，结合RIE+HF组合处理方式实现SiO2的图形化掩膜，仅在裸露石墨烯位置外延生长深紫外LED器件的独立结构单元。本发明的深紫外LED，能够有效避免传统LED电子横向输运产生的“电流拥堵”效应，提高器件的光输出功率。