Invention Grant
- Patent Title: 用于粒子加速器真空结构材料的低温二次电子测试样品架
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Application No.: CN202011247132.6Application Date: 2020-11-10
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Publication No.: CN112229861BPublication Date: 2024-09-20
- Inventor: 方键威 , 王勇 , 洪远志 , 尉伟 , 朱邦乐 , 王一刚 , 卞抱元
- Applicant: 中国科学技术大学
- Applicant Address: 安徽省合肥市包河区金寨路96号
- Assignee: 中国科学技术大学
- Current Assignee: 中国科学技术大学
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市包河区金寨路96号
- Agency: 北京科迪生专利代理有限责任公司
- Agent 安丽
- Main IPC: G01N23/2204
- IPC: G01N23/2204 ; G01R19/00 ; G01R15/24

Abstract:
本发明涉及一种用于粒子加速器真空结构材料的低温二次电子测试样品架,包括:样品、样品座、样品底板、压片、绝缘垫、法拉第筒、螺钉、塞块、低温冷屏、螺栓、固定板、过渡管、陶瓷管和液氦输液管;本发明兼顾超高真空和二次电子测试的前提下(本发明用于10‑8Pa超高真空环境下,兼顾二次电子测试的条件下),设计独特样品架结构使液氦流进样品座内部,实现样品4.7K低温,完成低温二次电子测试,同时本发明设计结构巧妙,操作简单,攻克导热、超高真空、电绝缘彼此限制。
Public/Granted literature
- CN112229861A 用于粒子加速器真空结构材料的低温二次电子测试样品架 Public/Granted day:2021-01-15
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